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GAO

• FLOSFIA、6インチサファイア基板上での酸化ガリウムエピタキシャル成膜に成功! ～既存の6インチ量産ラインをそのまま活用、8インチも視野に「ポストSiC」の本命へ～ – 最先端GaO®パワー半導体を手掛けるFLOSFIA(フロスフィア)
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