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MOSFET

• 三菱電機 ニュースリリース 新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵SiC-MOSFETの適用を実現
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• 低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 日本
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